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B系列全耗盡硅面壘型輻射探測器

產品型號：

廠商性質：生產廠家

更新時間：2025-07-25

訪問量：18

簡要描述：主要應用粒子識別、望遠探測器、任何類型的E測量

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聯(lián)系電話：021-54339375

訂購時必須指定安裝座。

除非另有說明，否則提供T型安裝座。

*所有標準耗盡的探測器都以特定的角度從母晶體上偏軸切割，這將限度地減少離子穿隧效應。除非以適當?shù)淖帜盖熬Y另行指定，否則提供T安裝座。可為特殊訂單提供其他面積和深度。

**型號的前三位數(shù)字表示使用標準ORTEC電子設備和0.5-μs整形時間常數(shù)時，²⁴¹Am，5.486-MeV α的總系統(tǒng)分辨率FWHM。β分辨率近似于脈沖發(fā)生器寬度FWHM。

§需要特殊訂單。

注:兼容Alpha套件的探測器:ENS-系列(購買新系統(tǒng)時含安裝和測試)、ENS8系列(新系統(tǒng)的8包備件)、B接口的ULTRA-AS和低本底R系列探測器型號保證與Alpha套件產品(DUO、MEGA、ARIA、ENSEMBLE)兼容。所有其他探測器都需要經過特殊批準以保證其兼容性及指標規(guī)格。

有效面積 (mm²)	保證分辨率（keV**）		耗盡深度150 µm 范圍125-175µm	耗盡深度200 µm 范圍176-225µm	耗盡深度250 µm 范圍226-275µm
有效面積 (mm²)	α	β	型號	型號	型號
50	15 16	6 7	B-015-050-150 B-016-050-150	B-015-050-200 B-016-050-200	B-015-050-250 B-016-050-250
150	17 18	9 10	B-017-150-150 B-018-150-150	B-017-150-200 B-018-150-200	B-017-150-250 B-018-150-250
300	19 20	12 15	B-019-300-150 B-020-300-150	B-019-300-200 B-020-300-200	B-019-300-250 B-020-300-250
450	23 24	17 19	B-023-450-150 B-024-450-150	B-023-450-200 B-024-450-200	B-023-450-250 B-024-450-250

有效面積 (mm²)	保證分辨率（keV**）		耗盡深度300 µm 范圍276-350µm	耗盡深度400 µm 范圍351-450µm
有效面積 (mm²)	α	β	型號	型號
50	15 16	6 7	B-015-050-300 B-016-050-300	B-015-050-400 B-016-050-400
150	17 18	9 10	B-017-150-300 B-018-150-300	B-017-150-400 B-018-150-400
300	19 20	12 15	B-019-300-300 B-020-300-300	B-019-300-400 B-020-300-400
450	23 24	17 19	B-023-450-300 B-024-450-300	B-023-450-400 B-024-450-400

有效面積 (mm²)	保證分辨率（keV**）		耗盡深度500 µm 范圍451-550µm	耗盡深度700 µm 范圍650-750µm	耗盡深度1000 µm 范圍950-1050µm
有效面積 (mm²)	α	β	型號	型號	型號
50	15 16	8 9	B-015-050-500 B-016-050-500	B-015-050-700 B-016-050-700	B-015-050-1000 B-016-050-1000
150	17 18	9 10	B-017-150-500 B-018-150-500	B-017-150-700 B-018-150-700	B- B-
300	19 20	13 14	B-019-300-500 B-020-300-500	B-019-300-700 B-020-300-700	B- B-
450	21 23	16 18	B-021-450-500 B-023-450-500	B-021-450-700 B-023-450-700	B- B-

有效面積 (mm²)	保證分辨率（keV**）		耗盡深度1500 µm§ 范圍1450-1550µm
有效面積 (mm²)	α	β	型號
50	17 19	12 14	B-017-050-1500 B-019-050-1500
150	19 21	14 16	B- B-
300	21	16	B-
450	24	19	B-

有效面積 (mm²)	保證分辨率（keV**）		耗盡深度2000 µm§ 范圍1950-2050µm
有效面積 (mm²)	α	β	型號
50	18	13	B-018-050-2000
150	20	15	B-
300	23	18	B-
450	26	21	B-

探測器尺寸 (mm²)	W (標稱)	A型		T型^§透射安裝座
探測器尺寸 (mm²)	W (標稱)	X	Y	X	Y	Z
050	8.0	15.2	3.7	19.4	7.9	9.9
150	13.8	22.0	3.7	26.1	7.9	9.9
300	19.5	27.1	3.7	31.6	7.9	9.9
450	23.9	30.5	3.7	34.8	7.9	9.9
Tolerance	±0.5	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3

B系列全耗盡硅面壘型輻射探測器

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